作者carman (距離的美感)
看板Master_D
標題[問題]GaN材料問題
時間Sat Feb 20 09:45:13 2010
前幾天上課時,聽老師說一般在GaAs基板上上defect 量在10^2 (cm^-2)
可宣稱是defect free,但在GaN基板上defect 量在10^6 (cm^-2)
就可宣稱是defect free
不過我印象中文獻上已有在GaN相關材料上做出可見光的雷射和VCSEL
請問在材料上的選擇或設計上有何特別的地方呢?
就是如何降低或阻擋這些defect的延伸?
謝謝!
ps.會有醬的疑問是,我有看過文獻也有人嘗試把GaAs長在silicon的基板上
即使做了許多處理defect density的量還是在10的6-7的次方
所以只有極少數上的人做出雷射...且特性都不佳或生命期也很短
所以想了解在GaN上是怎麼做到的?謝謝!
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 68.42.78.250
※ 編輯: carman 來自: 68.42.78.250 (02/20 09:47)
1F：→ BLUEBL00D:商業機密 02/20 11:28
2F：推 Xtaiwan5566:top的都是用自己開發的機器下去長 講了你也弄不出來 02/20 14:04