作者carman (距离的美感)
看板Master_D
标题[问题]GaN材料问题
时间Sat Feb 20 09:45:13 2010
前几天上课时,听老师说一般在GaAs基板上上defect 量在10^2 (cm^-2)
可宣称是defect free,但在GaN基板上defect 量在10^6 (cm^-2)
就可宣称是defect free
不过我印象中文献上已有在GaN相关材料上做出可见光的雷射和VCSEL
请问在材料上的选择或设计上有何特别的地方呢?
就是如何降低或阻挡这些defect的延伸?
谢谢!
ps.会有酱的疑问是,我有看过文献也有人尝试把GaAs长在silicon的基板上
即使做了许多处理defect density的量还是在10的6-7的次方
所以只有极少数上的人做出雷射...且特性都不佳或生命期也很短
所以想了解在GaN上是怎麽做到的?谢谢!
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 68.42.78.250
※ 编辑: carman 来自: 68.42.78.250 (02/20 09:47)
1F：→ BLUEBL00D:商业机密 02/20 11:28
2F：推 Xtaiwan5566:top的都是用自己开发的机器下去长 讲了你也弄不出来 02/20 14:04