: 我目前是想用E-BEAM寫在鋁上面 : 我要的pattern寬度大概是100nm : 因為寫的東西很小 : 所以我有在要寫的東西的附近做一些可以讓我好對到的pattern : 那個要要用來對準的pattern大約1um（這樣我用OM就看的到） : 但是我卻連這個1um的pattern都寫不出來 : 我很沮喪，我寫了很多次，參數也試過很多組了 : 但是也都寫不出來 : 請問有人有寫在鋁上過嗎 : 要注意那些條件影響呢 : 請大家幫幫忙了 : 已經碩二了 : 很怕會延畢 : 謝謝 你說得很籠統，寫不出來是顯影後，看不到任何的圖像，還是，圖形狀走樣了? 如果是光阻(PMMA)太厚，你的dose量不夠大，顯不到底，但是這樣圖一定還是會出現 只是你看到的顏色不是substrate(Al)的顏色。 當然，如果你PMMA厚，dose量小的很誇張，一定是看不到任何圖樣。 如果是圖形走樣了，那你可能是聚碳渣作Focus、調像差這一步沒做好。 一般而言，普通的sem要做到1um應該是很簡單，但是，PMMA越厚，就不容易作小的 pattern，因為你為了要曝到底，得加大dose量，線寬自然變寬。 其實作E-beam主要和PMMA厚度、dose量比較有關係，只要是有導電性的substrates 應該都可以，我也曾在不繡鋼片上面作過。 還有看不到圖形的一個原因是因為你pattern的writing field和SEM的magnification 不吻合，如：pattern writing field是100*100um，但是你SEM的magnification 卻是調到2000X，而2000X下，SEM電子束能到的範圍根本沒100*100um這麼大， 你的圖形自然被縮小了，在OM(1000X)底下500nm的圖勉強看得到，如果被縮小很多， 當然什麼也都看不到。 一般近幾年Joel的sem在1000X下，配上Raith的E-beam系統， 適用的writing field大概是100*100um，除了像我們的超舊SEM得再400X下才有 100*100um的writing field，而400X下寫出來的線寬真是大到不行，整個鳥。 而sem的加速電壓，影響似乎不很大，一般大多是20-25K。 那時我們抓參數的方式是固定光阻的厚度，接下來用SEM的chess board來校正sem在 某一放大倍率下適用的writing field，譬如我們抓到SEM 400X下適用100*100um 的writing field，接下來固定用很小的beam current ~20PA，同一種圖案用不同的 dose量去測試，就可以抓去最佳條件了。 如果之前有人已經用這台機器作過，那只要上光阻的轉速相同，條件(dose量、電流等等) 用一樣的，應該試作的出來的，我們一樣的光阻、條件有做在Si/SiO2、Si、GaAs、 不繡鋼板上過... --

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