: 我目前是想用E-BEAM写在铝上面 : 我要的pattern宽度大概是100nm : 因为写的东西很小 : 所以我有在要写的东西的附近做一些可以让我好对到的pattern : 那个要要用来对准的pattern大约1um（这样我用OM就看的到） : 但是我却连这个1um的pattern都写不出来 : 我很沮丧，我写了很多次，参数也试过很多组了 : 但是也都写不出来 : 请问有人有写在铝上过吗 : 要注意那些条件影响呢 : 请大家帮帮忙了 : 已经硕二了 : 很怕会延毕 : 谢谢 你说得很笼统，写不出来是显影後，看不到任何的图像，还是，图形状走样了? 如果是光阻(PMMA)太厚，你的dose量不够大，显不到底，但是这样图一定还是会出现 只是你看到的颜色不是substrate(Al)的颜色。 当然，如果你PMMA厚，dose量小的很夸张，一定是看不到任何图样。 如果是图形走样了，那你可能是聚碳渣作Focus、调像差这一步没做好。 一般而言，普通的sem要做到1um应该是很简单，但是，PMMA越厚，就不容易作小的 pattern，因为你为了要曝到底，得加大dose量，线宽自然变宽。 其实作E-beam主要和PMMA厚度、dose量比较有关系，只要是有导电性的substrates 应该都可以，我也曾在不绣钢片上面作过。 还有看不到图形的一个原因是因为你pattern的writing field和SEM的magnification 不吻合，如：pattern writing field是100*100um，但是你SEM的magnification 却是调到2000X，而2000X下，SEM电子束能到的范围根本没100*100um这麽大， 你的图形自然被缩小了，在OM(1000X)底下500nm的图勉强看得到，如果被缩小很多， 当然什麽也都看不到。 一般近几年Joel的sem在1000X下，配上Raith的E-beam系统， 适用的writing field大概是100*100um，除了像我们的超旧SEM得再400X下才有 100*100um的writing field，而400X下写出来的线宽真是大到不行，整个鸟。 而sem的加速电压，影响似乎不很大，一般大多是20-25K。 那时我们抓参数的方式是固定光阻的厚度，接下来用SEM的chess board来校正sem在 某一放大倍率下适用的writing field，譬如我们抓到SEM 400X下适用100*100um 的writing field，接下来固定用很小的beam current ~20PA，同一种图案用不同的 dose量去测试，就可以抓去最佳条件了。 如果之前有人已经用这台机器作过，那只要上光阻的转速相同，条件(dose量、电流等等) 用一样的，应该试作的出来的，我们一样的光阻、条件有做在Si/SiO2、Si、GaAs、 不绣钢板上过... --

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