作者scvkidd (多充實自己!)
看板Master_D
標題[請益] Si anneal的問題
時間Tue Nov 7 15:24:34 2006
想請問一下各位前輩有關於Si熱退火的問題
因為我沒有去過NDL做過退火的操作
想請問 在一般我們在處理Si熱退火的過程中
因為要避免掉氧氣的存在 (不能在表面形成二氧化矽)
所以都會通入氮氣 那請問一下大概是要通多少torr的氮氣呢?
假設我RTA的溫度是900度 有沒有什麼東西要注意一下
可以避免我的Si的表面長成二氧化矽
因為我的試片有限 不能再繼續用"錯誤"嘗試法了
希望有人可以給我一下建議和指導 謝謝!!
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