作者scvkidd (多充实自己!)
看板Master_D
标题[请益] Si anneal的问题
时间Tue Nov 7 15:24:34 2006
想请问一下各位前辈有关於Si热退火的问题
因为我没有去过NDL做过退火的操作
想请问 在一般我们在处理Si热退火的过程中
因为要避免掉氧气的存在 (不能在表面形成二氧化矽)
所以都会通入氮气 那请问一下大概是要通多少torr的氮气呢?
假设我RTA的温度是900度 有没有什麽东西要注意一下
可以避免我的Si的表面长成二氧化矽
因为我的试片有限 不能再继续用"错误"尝试法了
希望有人可以给我一下建议和指导 谢谢!!
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