作者WiseWang (鈍石成器)
看板ICDESIGN
標題[公告] 作業三的bonus
時間Mon Dec 12 12:52:08 2005
看到大家期中考成績不太理想,
因此想說在作業三有些bonus讓大家進補一下,不過還沒跟老師說,
雖然老師不一定准,還是希望大家嘗試一下:)
1.Layout面積夠小的人會加分:)
目前看同學的表現,一個cell的Layout標準面積約在70um^2
而且由於routing沒有浪費太多的面積,因此M1符合metal density的標準.
最後DRC只會剩下6個error,而不是7個.
目前標準先定在cell面積小於80um^2都可以加10分.
如果太少人達到此標準,會考慮放寬標準,最多到100um^2.
P.S:至於一個cell就超過200m^2的同學,可能會扣分(5分)XD
2.算出此作業中,理論上最小的cell面積是多少?(根據18顆MOS版本or更精簡的版本)
理論上,畫Layout分為兩大步驟:place & route
place是擺設所有的MOS,route是完成繞線的動作.
目前自動Layout程式的寫法就是先place再route,簡稱"P&R"
如果place太緊密導致route有困難,就會適當的加大place的面積,再做route.
(有人在place時就浪費不少面積.route之後還剩下相當多的空間.)
如果同學算出place一個cell所需要的最小面積,可以加兩分.
如果同學算出place&route一個cell所需要的最小面積,可以再加三分.
(這裡的答案會和你的Layout技巧有關^^"
只要你的答案小於70um^2,即使不是最小值也可以加到一些分數)
要附上算法輔助說明:)
大家繼續加油~^^~
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◆ From: 140.112.17.100
1F：推 phylin:我DRC錯誤只有5個?@@ 12/12 12:54
2F：推 WiseWang:那可能是M2也滿足density的要求. 12/12 14:57
3F：推 WiseWang:不過...感覺不會用到這麼多M2 ? 12/12 14:58
4F：推 OLLEJ:5個錯誤+1 是POLY滿足要求23456五層METAL錯誤 12/12 15:34
5F：推 WiseWang:原來是poly...... 12/12 17:20