作者WiseWang (钝石成器)
看板ICDESIGN
标题[公告] 作业三的bonus
时间Mon Dec 12 12:52:08 2005
看到大家期中考成绩不太理想,
因此想说在作业三有些bonus让大家进补一下,不过还没跟老师说,
虽然老师不一定准,还是希望大家尝试一下:)
1.Layout面积够小的人会加分:)
目前看同学的表现,一个cell的Layout标准面积约在70um^2
而且由於routing没有浪费太多的面积,因此M1符合metal density的标准.
最後DRC只会剩下6个error,而不是7个.
目前标准先定在cell面积小於80um^2都可以加10分.
如果太少人达到此标准,会考虑放宽标准,最多到100um^2.
P.S:至於一个cell就超过200m^2的同学,可能会扣分(5分)XD
2.算出此作业中,理论上最小的cell面积是多少?(根据18颗MOS版本or更精简的版本)
理论上,画Layout分为两大步骤:place & route
place是摆设所有的MOS,route是完成绕线的动作.
目前自动Layout程式的写法就是先place再route,简称"P&R"
如果place太紧密导致route有困难,就会适当的加大place的面积,再做route.
(有人在place时就浪费不少面积.route之後还剩下相当多的空间.)
如果同学算出place一个cell所需要的最小面积,可以加两分.
如果同学算出place&route一个cell所需要的最小面积,可以再加三分.
(这里的答案会和你的Layout技巧有关^^"
只要你的答案小於70um^2,即使不是最小值也可以加到一些分数)
要附上算法辅助说明:)
大家继续加油~^^~
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.17.100
1F：推 phylin:我DRC错误只有5个?@@ 12/12 12:54
2F：推 WiseWang:那可能是M2也满足density的要求. 12/12 14:57
3F：推 WiseWang:不过...感觉不会用到这麽多M2 ? 12/12 14:58
4F：推 OLLEJ:5个错误+1 是POLY满足要求23456五层METAL错误 12/12 15:34
5F：推 WiseWang:原来是poly...... 12/12 17:20