作者pttderek (pttderek)
看板Grad-ProbAsk
標題[理工] [電子] MOS通道相關效應觀念?!
時間Tue Nov 3 10:07:49 2009
[電路圖]
http://wwwc.moex.gov.tw/examnew1/92/17/315300.pdf
第三題
[市面解法]
通道長度調變:因為Vgd逆偏，使空乏區變大，造成通道長度變短，id變大
基板效應:因為Vsb逆偏，使空乏區變大，造成通道受損，id變小，所以Vt要變大
[個人想法]
以上解法是簡寫過的，主要是列出我觀念不清楚的地方!
為什麼一樣是逆偏使空乏區變大，
但一個解釋成通道變短，另一個解釋成通道受損?！
但一個使id變大?!另一個使id變小
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 203.71.156.249
1F：推 fairwarning:[理工][電子]-標題 您少了一個"-"喔 11/03 10:30
2F：推 jasonkuo515:這兩個逆偏電壓影響到的空乏區不同 建議你搭配物理結 11/03 11:26
3F：→ jasonkuo515:構圖來看 通道長度調變Vgd是讓通道尾巴縮成一條線 11/03 11:27
4F：→ jasonkuo515:縮成一條線的區域就是通道變短的區域 11/03 11:29
5F：推 jasonkuo515:只要一到一條線的區域 電荷會被強電位差掃到Drain端 11/03 11:31
6F：→ jasonkuo515:所以電荷只要能到達縮成一條線的區域就必然可以到D端 11/03 11:31
7F：→ jasonkuo515:也就是說從本來要跑整個通道長 現在跑的距離變近了 11/03 11:32
8F：→ jasonkuo515:id自然變大 11/03 11:32
9F：→ jasonkuo515:原本要跑100公里 現在只要跑80公里 能跑完的人一定 11/03 11:33
10F：→ jasonkuo515:比較多啊 11/03 11:33
11F：→ jasonkuo515:這邊指的空乏區變大是讓D端附近空乏區變大吃掉通道尾 11/03 11:35
12F：→ jasonkuo515:至於基體效應的話 是整個通道和基體接觸的地方空乏區 11/03 11:36
13F：→ jasonkuo515:變大 也就是整個通道都變瘦了 把通道想像成電阻 11/03 11:37
14F：→ jasonkuo515:變瘦就是截面積變小 電阻變大 V不變R變大所以Id變小 11/03 11:38
15F：→ jasonkuo515:通道受損的意思是整個通道都變空乏區吃掉一些 變瘦了 11/03 11:38
16F：→ pttderek:太感激了!!解釋的很淺顯易懂!!正是我想知道的答案! 11/03 14:42