作者pttderek (pttderek)
看板Grad-ProbAsk
标题[理工] [电子] MOS通道相关效应观念?!
时间Tue Nov 3 10:07:49 2009
[电路图]
http://wwwc.moex.gov.tw/examnew1/92/17/315300.pdf
第三题
[市面解法]
通道长度调变:因为Vgd逆偏，使空乏区变大，造成通道长度变短，id变大
基板效应:因为Vsb逆偏，使空乏区变大，造成通道受损，id变小，所以Vt要变大
[个人想法]
以上解法是简写过的，主要是列出我观念不清楚的地方!
为什麽一样是逆偏使空乏区变大，
但一个解释成通道变短，另一个解释成通道受损?！
但一个使id变大?!另一个使id变小
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 203.71.156.249
1F：推 fairwarning:[理工][电子]-标题 您少了一个"-"喔 11/03 10:30
2F：推 jasonkuo515:这两个逆偏电压影响到的空乏区不同 建议你搭配物理结 11/03 11:26
3F：→ jasonkuo515:构图来看 通道长度调变Vgd是让通道尾巴缩成一条线 11/03 11:27
4F：→ jasonkuo515:缩成一条线的区域就是通道变短的区域 11/03 11:29
5F：推 jasonkuo515:只要一到一条线的区域 电荷会被强电位差扫到Drain端 11/03 11:31
6F：→ jasonkuo515:所以电荷只要能到达缩成一条线的区域就必然可以到D端 11/03 11:31
7F：→ jasonkuo515:也就是说从本来要跑整个通道长 现在跑的距离变近了 11/03 11:32
8F：→ jasonkuo515:id自然变大 11/03 11:32
9F：→ jasonkuo515:原本要跑100公里 现在只要跑80公里 能跑完的人一定 11/03 11:33
10F：→ jasonkuo515:比较多啊 11/03 11:33
11F：→ jasonkuo515:这边指的空乏区变大是让D端附近空乏区变大吃掉通道尾 11/03 11:35
12F：→ jasonkuo515:至於基体效应的话 是整个通道和基体接触的地方空乏区 11/03 11:36
13F：→ jasonkuo515:变大 也就是整个通道都变瘦了 把通道想像成电阻 11/03 11:37
14F：→ jasonkuo515:变瘦就是截面积变小 电阻变大 V不变R变大所以Id变小 11/03 11:38
15F：→ jasonkuo515:通道受损的意思是整个通道都变空乏区吃掉一些 变瘦了 11/03 11:38
16F：→ pttderek:太感激了!!解释的很浅显易懂!!正是我想知道的答案! 11/03 14:42