老師要我們寫一個程式來模擬離子打入Si基板的問題 想問各位大大 各個方向(六個方向)的機率與機率跟入射能量還有剩餘能量有關 我該怎麼去處理這個問題呢? 他的假設有三點 假設一、Ｐ離子射入Ｓi 基板後有六個方向可以運動（三度空間），每次運 動前進一個單位 假設二、方向的變換和動量（方向和動能）有關，維持原方向的機率= 1/6 +(剩餘動能/入射動能)*0.8，反彈的機率=1/6-(剩餘動能/入射動能)*0.1， 其他方向的機率=(1-(原方向機率+反彈機率))/4 假設三、能量的損耗正比於行進的距離與轉彎次數，每維持原方向前進一單 位損耗1 單位能量，每與原方向相反方向前進一次損耗10 單位能量，每轉 彎一次損耗5 單位能量，P 離子在所有能量耗盡時停止。 我一直卡在要怎麼樣把假設二運用到粒子運動時方向的選擇上 希望有人能夠告訴我該怎麼樣處理呢??? 或是一些建議 謝謝 --

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