老师要我们写一个程式来模拟离子打入Si基板的问题 想问各位大大 各个方向(六个方向)的机率与机率跟入射能量还有剩余能量有关 我该怎麽去处理这个问题呢? 他的假设有三点 假设一、Ｐ离子射入Ｓi 基板後有六个方向可以运动（三度空间），每次运 动前进一个单位 假设二、方向的变换和动量（方向和动能）有关，维持原方向的机率= 1/6 +(剩余动能/入射动能)*0.8，反弹的机率=1/6-(剩余动能/入射动能)*0.1， 其他方向的机率=(1-(原方向机率+反弹机率))/4 假设三、能量的损耗正比於行进的距离与转弯次数，每维持原方向前进一单 位损耗1 单位能量，每与原方向相反方向前进一次损耗10 单位能量，每转 弯一次损耗5 单位能量，P 离子在所有能量耗尽时停止。 我一直卡在要怎麽样把假设二运用到粒子运动时方向的选择上 希望有人能够告诉我该怎麽样处理呢??? 或是一些建议 谢谢 --

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