作者Ray05A0 (RR)
看板Electronics
標題Re: [請益] gm/Id 設計OTA問題
時間Wed Aug 17 17:55:45 2022
謝謝大大們的回覆，
另外我想請問，
我若把PMOS的Bulk接到 VDD，
也能夠進入到飽和區，
想跟請教原因，
小弟剛踏入類比的世界中，
如果問了蠢問題，還請各位大大見諒，謝謝
https://i.imgur.com/rx9bWEY.jpg
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Sent from JPTT on my iPhone※ 引述《Ray05A0 (RR)》之銘言：
: https://i.imgur.com/6Ymr18Y.jpg
: 各位前輩們好
: 最近小弟在練習用gm/id 設計Two stage OP
: 但我照著網路上的教學或範例
: 做出來的OTA的Input MOS
: 總是沒辦法進入Sat. Region
: 無論gm/id 取多少值都一樣
: 想請問前輩們 我是不是哪個地方有誤？
: 謝謝前輩們
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: Sent from JPTT on my iPhone
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.26.106.35 (臺灣)
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※ 編輯: Ray05A0 (110.26.106.35 臺灣), 08/17/2022 18:03:03
1F：→ BaaaSwin: body effect,|Vth|變高.在相同電流下VCM往上,VDS變大 08/17 18:21
2F：→ bt092001: Body effect，vth 變大，mos 等效阻值變大，VDS變大 08/17 18:30
3F：→ bt092001: 建議可以先定性分析，看懂mos曲線等電器特性的物理意義 08/17 18:37
4F：→ bt092001: ，再數據量化會理解比較快 08/17 18:37
5F：推 GPaw: 比較好奇的是。diff pair的input dc值為什麼不是設在vdd/2。 11/24 12:21
6F：→ GPaw: input 0v 在linear 蠻合理的 11/24 12:21