作者Ray05A0 (RR)
看板Electronics
标题Re: [请益] gm/Id 设计OTA问题
时间Wed Aug 17 17:55:45 2022
谢谢大大们的回覆，
另外我想请问，
我若把PMOS的Bulk接到 VDD，
也能够进入到饱和区，
想跟请教原因，
小弟刚踏入类比的世界中，
如果问了蠢问题，还请各位大大见谅，谢谢
https://i.imgur.com/rx9bWEY.jpg
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Sent from JPTT on my iPhone※ 引述《Ray05A0 (RR)》之铭言：
: https://i.imgur.com/6Ymr18Y.jpg
: 各位前辈们好
: 最近小弟在练习用gm/id 设计Two stage OP
: 但我照着网路上的教学或范例
: 做出来的OTA的Input MOS
: 总是没办法进入Sat. Region
: 无论gm/id 取多少值都一样
: 想请问前辈们 我是不是哪个地方有误？
: 谢谢前辈们
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: Sent from JPTT on my iPhone
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 110.26.106.35 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1660730147.A.5BB.html
※ 编辑: Ray05A0 (110.26.106.35 台湾), 08/17/2022 18:03:03
1F：→ BaaaSwin: body effect,|Vth|变高.在相同电流下VCM往上,VDS变大 08/17 18:21
2F：→ bt092001: Body effect，vth 变大，mos 等效阻值变大，VDS变大 08/17 18:30
3F：→ bt092001: 建议可以先定性分析，看懂mos曲线等电器特性的物理意义 08/17 18:37
4F：→ bt092001: ，再数据量化会理解比较快 08/17 18:37
5F：推 GPaw: 比较好奇的是。diff pair的input dc值为什麽不是设在vdd/2。 11/24 12:21
6F：→ GPaw: input 0v 在linear 蛮合理的 11/24 12:21