作者ted010233 (yh1007)
看板Electronics
標題[問題] 無場SOT MRAM運作原理請教
時間Thu Dec 9 19:34:23 2021
最近讀到一個關於無場SOT的電路
底下三張圖
https://i.imgur.com/1jlxnYL.jpg
https://i.imgur.com/cLpFn4m.jpg
https://i.imgur.com/CabepKK.jpg
文中運作原理寫到：
步驟一：I,SOT流經金屬，在FL自由層行成磁場
步驟二：注入I,STT
步驟三：去除I,SOT，若I,STT從FL到PL則讀0；若I,STT從PL到FL則讀1
目前查了一些資料大概知道：
一般的SOT mram需要外加磁場
因為單I,SOT產生通過金屬層造成的霍爾自旋效應並不足以讓磁層翻轉
但外加磁場增加複雜性及容易影響非目標位元
因此多用了一個I,STT來產生Z方向的磁場達到無場即可翻轉？
還有同相的話代表低電阻，反相是高電阻
也大概知道STT mram 的P->AP及AP->P是怎麼變的
但對於資料寫入過程（假設要寫個0或1然後要把他讀出來）
的每顆電晶體運作及這些線路和電流的啟動不太清楚
像是我要怎麼控制I,STT和I,SOT
都是從bit-line寫入？
然後讀取也是從BL讀出來
還有I,STT和I,SOT的磁場變化
想請問有人能幫忙解釋一下嗎
在網路找了很多
但對於這部分的資料好像沒有很多
都是我剛剛講的一些零散的東西
可能是學的東西還不夠
沒辦法把這些湊起來
非常感謝！！
有人能幫忙的話也願意用p幣感謝
雖然我錢不多qq
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1F：→ ted010233: 第一次接觸MRAM但明天要報告12/09 19:45
2F：→ ted010233: 弄了很久還是不太清楚12/09 19:45
3F：→ ted010233: 只能先向別人求救給點方向12/09 19:45
4F：→ ted010233: 感謝……12/09 19:45
5F：推 eMemoryTek: Write0/1的話把SL/BL電壓反過來即可，高阻抗- 低阻抗12/09 21:03
6F：→ eMemoryTek: 會有限流電路，read的話從sl/bl sesing都有人做，給12/09 21:03
7F：→ eMemoryTek: 跨壓V/阻抗=I去跟參考電流比12/09 21:03
謝謝
我剛剛又看了一遍我好像又更知道是在幹嘛
但對於WWL0,WWL1…..跟WL0,WL1……
還不是很了解
8F：推 mmonkeyboyy: 這東西還有人做啊XD12/09 22:48
9F：→ mmonkeyboyy: 那根橫的就是因為不好翻 所加上去幫忙翻的12/09 22:49
10F：推 mmonkeyboyy: W/ 只有在寫的時候加12/09 22:52
12F：→ mmonkeyboyy: als/Proceedings/假12/09 23:01
13F：→ mmonkeyboyy: roved_Approaches_to_MRAM_Switching_Robertson.pdf12/09 23:01
14F：→ mmonkeyboyy: 這有篇比較 你看看就會了12/09 23:01
好我看一下 謝謝你
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更
感謝m大
有人遇到相同疑問也可以看看這篇
https://www.semanticscholar.org/paper/
High-performance-and-energy-efficient-
in-memory-on-He-Angizi/
4da6583f1e904e051de691e4f897bdd
5a9266242
※ 編輯: ted010233 (163.25.119.63 臺灣), 12/10/2021 16:37:17