作者ted010233 (yh1007)
看板Electronics
标题[问题] 无场SOT MRAM运作原理请教
时间Thu Dec 9 19:34:23 2021
最近读到一个关於无场SOT的电路
底下三张图
https://i.imgur.com/1jlxnYL.jpg
https://i.imgur.com/cLpFn4m.jpg
https://i.imgur.com/CabepKK.jpg
文中运作原理写到：
步骤一：I,SOT流经金属，在FL自由层行成磁场
步骤二：注入I,STT
步骤三：去除I,SOT，若I,STT从FL到PL则读0；若I,STT从PL到FL则读1
目前查了一些资料大概知道：
一般的SOT mram需要外加磁场
因为单I,SOT产生通过金属层造成的霍尔自旋效应并不足以让磁层翻转
但外加磁场增加复杂性及容易影响非目标位元
因此多用了一个I,STT来产生Z方向的磁场达到无场即可翻转？
还有同相的话代表低电阻，反相是高电阻
也大概知道STT mram 的P->AP及AP->P是怎麽变的
但对於资料写入过程（假设要写个0或1然後要把他读出来）
的每颗电晶体运作及这些线路和电流的启动不太清楚
像是我要怎麽控制I,STT和I,SOT
都是从bit-line写入？
然後读取也是从BL读出来
还有I,STT和I,SOT的磁场变化
想请问有人能帮忙解释一下吗
在网路找了很多
但对於这部分的资料好像没有很多
都是我刚刚讲的一些零散的东西
可能是学的东西还不够
没办法把这些凑起来
非常感谢！！
有人能帮忙的话也愿意用p币感谢
虽然我钱不多qq
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1F：→ ted010233: 第一次接触MRAM但明天要报告12/09 19:45
2F：→ ted010233: 弄了很久还是不太清楚12/09 19:45
3F：→ ted010233: 只能先向别人求救给点方向12/09 19:45
4F：→ ted010233: 感谢……12/09 19:45
5F：推 eMemoryTek: Write0/1的话把SL/BL电压反过来即可，高阻抗- 低阻抗12/09 21:03
6F：→ eMemoryTek: 会有限流电路，read的话从sl/bl sesing都有人做，给12/09 21:03
7F：→ eMemoryTek: 跨压V/阻抗=I去跟参考电流比12/09 21:03
谢谢
我刚刚又看了一遍我好像又更知道是在干嘛
但对於WWL0,WWL1…..跟WL0,WL1……
还不是很了解
8F：推 mmonkeyboyy: 这东西还有人做啊XD12/09 22:48
9F：→ mmonkeyboyy: 那根横的就是因为不好翻 所加上去帮忙翻的12/09 22:49
10F：推 mmonkeyboyy: W/ 只有在写的时候加12/09 22:52
12F：→ mmonkeyboyy: als/Proceedings/假12/09 23:01
13F：→ mmonkeyboyy: roved_Approaches_to_MRAM_Switching_Robertson.pdf12/09 23:01
14F：→ mmonkeyboyy: 这有篇比较 你看看就会了12/09 23:01
好我看一下 谢谢你
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更
感谢m大
有人遇到相同疑问也可以看看这篇
https://www.semanticscholar.org/paper/
High-performance-and-energy-efficient-
in-memory-on-He-Angizi/
4da6583f1e904e051de691e4f897bdd
5a9266242
※ 编辑: ted010233 (163.25.119.63 台湾), 12/10/2021 16:37:17