作者ted010233 (yh1007)
看板Electronics
標題[問題] layout時gnd跟vdd用NIMP和PIMP包
時間Wed Nov 17 15:11:12 2021
是這樣
最近在畫layout的時候
一般來說PIMP和NIMP就是看畫的mos是參雜p型的還是n型的
而body部分
PMOS body接到vdd，vdd要用NIMP
NMOS body接gnd，gnd要用PIMP
(考慮body effect和layout製程所以body沒有接到source端而是直接接最高最低電位）
想問一下這裡gnd跟vdd分別要用PIMP和NIMP包的原因是什麼
是像底下這張圖這樣考慮到不要讓body浮接以及歐姆接觸嗎？
https://i.imgur.com/jmJmf6l.jpg
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※ 編輯: ted010233 (163.25.119.115 臺灣), 11/17/2021 15:12:18
1F：→ a86692472: 你要定義 psub,nwell 的電位 當然用 PP,NP 定義那個11/17 15:34
2F：→ a86692472: implant11/17 15:34
對欸感謝
但有查到有人說是因為歐姆接觸不太知道這是什麼
3F：→ jkamberson: 防止寄生PN diode導通吧11/17 18:53
4F：→ Bomy5566: 研究看看結構吧 你那圖是要說latch up11/18 00:52
5F：推 mmonkeyboyy: 你就想著做出一個通道把body 電壓對到需要的就好11/18 03:31
6F：→ mmonkeyboyy: 你可以想著 那個濃度差像是金屬多少 愈多導電性愈好11/18 03:32
7F：→ mmonkeyboyy: 愈能把 電流/壓導向自己想要的地方11/18 03:32
8F：→ mmonkeyboyy: (以上只是概念上 實際上解釋不是這樣XD)11/18 03:33
9F：推 mmonkeyboyy: 真正要看你要去畫接面能階11/18 03:36
感謝
大概知道要往哪個方向去研究了
我再找看看
有問題再求救Qq
10F：→ samm3320: 因為你不希望在nwell或psub 的contact上多做一個diode11/18 09:27
11F：→ samm3320: 出來11/18 09:27
※ 編輯: ted010233 (163.25.119.115 臺灣), 11/18/2021 09:45:13
12F：推 HenryLin123: latch up會燒壞。 11/19 16:01
13F：推 andyping: 以standard cell 組成的數位系統而言 只要在適當距離加 11/20 19:39
14F：→ andyping: 上body符合latch up rule即可 guardring 則是數位系統b 11/20 19:39
15F：→ andyping: lock再圍一圈即可 11/20 19:39
16F：→ andyping: 但analog以及esd則無法 latch up 會有問題 以及chip的 11/20 19:39
17F：→ andyping: 源頭電流會沒有一個基底 小電流guardring 大概都不會需 11/20 19:39
18F：→ andyping: 要大電流 但靠近pad以及esd 以及chip的外圍 不夠粗的gu 11/20 19:39
19F：→ andyping: ardring ic會有大概率不會work 11/20 19:39