作者woko (孤.獨.一.痕)
看板Electronics
標題[問題] MOS的移動率(u)和起始電壓(Vth)的關係
時間Thu Nov 26 22:50:52 2020
如題
最近在跑一些單顆元件的特性
發現FF corner條件下
mobility會變快/Vth會降低
SS corner則是mobility變慢/Vth變大
請問mobility和Vth有交互關係嗎?
MOS有mobility和Vth同時變大或同時變小的corner嗎?
麻煩對這方面有經驗的先進指點一下
謝謝~
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1F：→ samm3320: 高溫u變差vt下降 11/27 00:01
2F：→ outzumin: 理論上兩者互相獨立 11/27 06:02
3F：→ outzumin: 高溫u變差是因為晶格震動 VT下降是因為帶隙變小 無相關 11/27 06:03
4F：推 jamtu: SS/FF corner 的意思就是表示MOS 慢/快的狀況 12/07 18:30
5F：→ jamtu: 所以當然是不需要mobility高且VTH大的corner 12/07 18:30
6F：→ jamtu: 因為就不是極端的狀況了 12/07 18:30
7F：推 mmonkeyboyy: inverse temperature 12/08 11:09
8F：→ mmonkeyboyy: 如果你想看最後綜合表現的話 這個你就得看了 12/08 11:13
9F：→ mmonkeyboyy: 如果你只是研究一般mos 教科書中那種 到是沒這問題 12/08 11:15
10F：推 a12349221: 45nm一下須考慮 12/09 20:51