作者woko (孤.独.一.痕)
看板Electronics
标题[问题] MOS的移动率(u)和起始电压(Vth)的关系
时间Thu Nov 26 22:50:52 2020
如题
最近在跑一些单颗元件的特性
发现FF corner条件下
mobility会变快/Vth会降低
SS corner则是mobility变慢/Vth变大
请问mobility和Vth有交互关系吗?
MOS有mobility和Vth同时变大或同时变小的corner吗?
麻烦对这方面有经验的先进指点一下
谢谢~
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1F：→ samm3320: 高温u变差vt下降 11/27 00:01
2F：→ outzumin: 理论上两者互相独立 11/27 06:02
3F：→ outzumin: 高温u变差是因为晶格震动 VT下降是因为带隙变小 无相关 11/27 06:03
4F：推 jamtu: SS/FF corner 的意思就是表示MOS 慢/快的状况 12/07 18:30
5F：→ jamtu: 所以当然是不需要mobility高且VTH大的corner 12/07 18:30
6F：→ jamtu: 因为就不是极端的状况了 12/07 18:30
7F：推 mmonkeyboyy: inverse temperature 12/08 11:09
8F：→ mmonkeyboyy: 如果你想看最後综合表现的话 这个你就得看了 12/08 11:13
9F：→ mmonkeyboyy: 如果你只是研究一般mos 教科书中那种 到是没这问题 12/08 11:15
10F：推 a12349221: 45nm一下须考虑 12/09 20:51