作者yiting428 ()
看板Electronics
標題[問題] 半導體物理的一些基本問題
時間Tue Aug 27 01:21:30 2019
大家好
在林昀的電子學裡面有寫到
1.
「複合物半導體(ex. GaAs)自由電子移動速率甚快於矽，故適合於高速電路或微波元件製作。」
想請問若價電子都同樣已躍遷到傳導帶成為自由電子
為什麼不同晶體的自由電子移動率會不同?
是跟晶體結構有關係嗎?
如果可以希望能有詳細一點的解說
2.
在費米能階之費米迪拉克分布機率為0.5
可是費米能階又是在介於價帶與導帶的能隙之中
所以電子應該不可能會有Ef這樣的能態吧?
那為什麼分布機率會是0.5?
為什麼離散的能階可以和連續的分布函數圖形有關係?
謝謝
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1F：推 psychicaler: 2. 有一半電子在在費米能階上 08/27 21:13
2F：→ psychicaler: 1.先看band gap大小，通常越大，電阻越大 08/27 21:14
3F：→ psychicaler: 上述是以三維結構來說 08/27 21:15
4F：→ psychicaler: 二維結構則為特例，磊晶層本身電阻會小很多 08/27 21:16
1.
通常band gap越大，電阻率越大沒錯
可是以GaAs來說
band gap比Si大
電子移動率卻比Si還高?
且我查到GaAs跟Si一樣都是三維結構
請問我有哪邊觀念或資訊錯誤嗎?
2.
但我想問的是說
費米能階是在能隙中
電子的能態不是要馬在價帶
要馬在導帶
不可能出現在能隙中吧0.0
※ 編輯: yiting428 (110.26.105.98 臺灣), 08/27/2019 22:43:47
5F：→ los920236: 1.GaAs的電子有效質量比Si小很多也是原因之一 08/28 00:19
6F：推 psychicaler: 只有0K才會全在Ec上 08/29 16:04
7F：推 lab101: 有你真美好 09/09 03:40
8F：→ lab101: 發錯地方是給回文者的 09/09 03:41