作者yiting428 ()
看板Electronics
标题[问题] 半导体物理的一些基本问题
时间Tue Aug 27 01:21:30 2019
大家好
在林昀的电子学里面有写到
1.
「复合物半导体(ex. GaAs)自由电子移动速率甚快於矽，故适合於高速电路或微波元件制作。」
想请问若价电子都同样已跃迁到传导带成为自由电子
为什麽不同晶体的自由电子移动率会不同?
是跟晶体结构有关系吗?
如果可以希望能有详细一点的解说
2.
在费米能阶之费米迪拉克分布机率为0.5
可是费米能阶又是在介於价带与导带的能隙之中
所以电子应该不可能会有Ef这样的能态吧?
那为什麽分布机率会是0.5?
为什麽离散的能阶可以和连续的分布函数图形有关系?
谢谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 110.26.105.98 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1566840096.A.A47.html
1F：推 psychicaler: 2. 有一半电子在在费米能阶上 08/27 21:13
2F：→ psychicaler: 1.先看band gap大小，通常越大，电阻越大 08/27 21:14
3F：→ psychicaler: 上述是以三维结构来说 08/27 21:15
4F：→ psychicaler: 二维结构则为特例，磊晶层本身电阻会小很多 08/27 21:16
1.
通常band gap越大，电阻率越大没错
可是以GaAs来说
band gap比Si大
电子移动率却比Si还高?
且我查到GaAs跟Si一样都是三维结构
请问我有哪边观念或资讯错误吗?
2.
但我想问的是说
费米能阶是在能隙中
电子的能态不是要马在价带
要马在导带
不可能出现在能隙中吧0.0
※ 编辑: yiting428 (110.26.105.98 台湾), 08/27/2019 22:43:47
5F：→ los920236: 1.GaAs的电子有效质量比Si小很多也是原因之一 08/28 00:19
6F：推 psychicaler: 只有0K才会全在Ec上 08/29 16:04
7F：推 lab101: 有你真美好 09/09 03:40
8F：→ lab101: 发错地方是给回文者的 09/09 03:41