作者smalltin11 ()
看板Electronics
標題[問題] 逆向飽和電流過大
時間Thu May 2 23:45:27 2019
大家晚安~~手機排版，若亂掉請見諒！
想請問各位厲害的大大們：
我有一個MOSFET元件，因為量測結果off current太大所以正在尋找原因。有進行Drain與Body的兩端點PN junction量測，這裏就發現逆向飽和電流很大，order約在-7~-6 A，問題應該就是這裡了！
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想請問各位大師，會造成逆向飽和電流過大的原因有哪些呢？(先撇除矽基板品質不好的關係)
《我的drain是打phosphor, 20 keV, 1E15 cm-2, 載子活化條件：900度濕氧 20min》
目前我有想到的可能性是在Drain上開鋁電極窗口時，不小心蝕刻太深了！雖然應該是沒有整個吃破或是spiking破drain的接面深度，不然應該是會直接短路吧(這解釋是對的嗎？><)？但我也不是很清楚單純只是開太深的話會造成PN Junction leakage變大嗎？
請問有哪位大大可以替我解釋嗎？
或者有其他可能因素造成PN junction leakage變大嗎？><
先在此感謝各位大師！謝謝！
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1F：推 tingyih: 建議給一下gate length和其他imp濃度 05/03 19:20
2F：→ smalltin11: t大您好~因為我的不是傳統MOSFET，閘極和通道那有稍微 05/03 21:36
3F：→ smalltin11: 改一些，所以我的通道區長度是3um，gate最後沉積上去 05/03 21:36
4F：→ smalltin11: 的gate length是7um，不過整體還是一般MOS操作！body 05/03 21:36
5F：→ smalltin11: 是打BF2, 40 keV, 1E15cm-2！ 05/03 21:36
6F：→ tingyih: 你body這麼濃應該是造成Iboff的主因，有特殊需求？ 05/03 22:01
7F：推 tingyih: contact那邊做不好應該只會影響阻值，On-state電流才比 05/03 22:13
8F：→ tingyih: 較會被影響 05/03 22:13
9F：→ smalltin11: tin大您好，其實沒有特殊需求欸QQ而且我們後來量測時 05/03 23:38
10F：→ smalltin11: 礙於還有光纖系統所以只下三端點，body那邊反而也沒下 05/03 23:38
11F：→ smalltin11: 針，是Id-Vg看到Ioff太大才開始進行drain/body兩端PN 05/03 23:38
12F：→ smalltin11: diode量測檢查漏電來源~而想說contact吃接面深度太深 05/03 23:38
13F：→ smalltin11: 會不會也是造成Junction漏電來源之一？>< 05/03 23:38
14F：→ tingyih: 就我經驗逆偏電流來自imp濃度，跟接面無關，你如果量測 05/04 01:58
15F：→ tingyih: 順偏電流，可能才會看到接面做壞的影響 05/04 01:58