作者smalltin11 ()
看板Electronics
标题[问题] 逆向饱和电流过大
时间Thu May 2 23:45:27 2019
大家晚安~~手机排版，若乱掉请见谅！
想请问各位厉害的大大们：
我有一个MOSFET元件，因为量测结果off current太大所以正在寻找原因。有进行Drain与Body的两端点PN junction量测，这里就发现逆向饱和电流很大，order约在-7~-6 A，问题应该就是这里了！
-
想请问各位大师，会造成逆向饱和电流过大的原因有哪些呢？(先撇除矽基板品质不好的关系)
《我的drain是打phosphor, 20 keV, 1E15 cm-2, 载子活化条件：900度湿氧 20min》
目前我有想到的可能性是在Drain上开铝电极窗口时，不小心蚀刻太深了！虽然应该是没有整个吃破或是spiking破drain的接面深度，不然应该是会直接短路吧(这解释是对的吗？><)？但我也不是很清楚单纯只是开太深的话会造成PN Junction leakage变大吗？
请问有哪位大大可以替我解释吗？
或者有其他可能因素造成PN junction leakage变大吗？><
先在此感谢各位大师！谢谢！
-----
Sent from JPTT on my iPhone
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 180.204.19.21
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1556811929.A.C70.html
1F：推 tingyih: 建议给一下gate length和其他imp浓度 05/03 19:20
2F：→ smalltin11: t大您好~因为我的不是传统MOSFET，闸极和通道那有稍微 05/03 21:36
3F：→ smalltin11: 改一些，所以我的通道区长度是3um，gate最後沉积上去 05/03 21:36
4F：→ smalltin11: 的gate length是7um，不过整体还是一般MOS操作！body 05/03 21:36
5F：→ smalltin11: 是打BF2, 40 keV, 1E15cm-2！ 05/03 21:36
6F：→ tingyih: 你body这麽浓应该是造成Iboff的主因，有特殊需求？ 05/03 22:01
7F：推 tingyih: contact那边做不好应该只会影响阻值，On-state电流才比 05/03 22:13
8F：→ tingyih: 较会被影响 05/03 22:13
9F：→ smalltin11: tin大您好，其实没有特殊需求欸QQ而且我们後来量测时 05/03 23:38
10F：→ smalltin11: 碍於还有光纤系统所以只下三端点，body那边反而也没下 05/03 23:38
11F：→ smalltin11: 针，是Id-Vg看到Ioff太大才开始进行drain/body两端PN 05/03 23:38
12F：→ smalltin11: diode量测检查漏电来源~而想说contact吃接面深度太深 05/03 23:38
13F：→ smalltin11: 会不会也是造成Junction漏电来源之一？>< 05/03 23:38
14F：→ tingyih: 就我经验逆偏电流来自imp浓度，跟接面无关，你如果量测 05/04 01:58
15F：→ tingyih: 顺偏电流，可能才会看到接面做坏的影响 05/04 01:58