作者yiting428 ()
看板Electronics
標題[問題] MOSFET飽和電流
時間Sun Mar 31 16:55:58 2019
大家好
我目前所知道的是
以NMOS來說
進入飽和區之後
電子經由夾止點被注入空乏區
再被Vds造成的電場吸入D極
而正是這邊我有疑問
1. 若考慮P型基底與S極共接至外部電源負端
D極接外部電源正端
這個時候P型基底與D極(n+ type)不就形同逆偏的PN接面嗎？
如果這時候經由夾止點進入空乏區的電子都能夠被電場吸入D極
那為什麼一般的二極體逆偏時卻只有微量的漏電流？
2. 承上點，若是Vds繼續加大
不同時也是使電場強度加大
為什麼不能吸入更多數量的電子
使Id上升呢？
3. 承第1點
書上寫到二極體漏電流的產生是因為少數載子濃度
那假設我今天只看N型區
N型是摻雜5價元素，使電子濃度提高
那這樣照理來說不會有電洞阿？
因為自己是電子系學生
當時學電子學時對於材料的物理原理幾乎是忽視的
現在回頭來看發現自己所學的有點虛
請高手幫忙解惑了，謝謝！
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1F：→ snsdakb48: 我有個學妹 從我大二洗澡到出社會了還沒洗完…03/27 22:36
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.230.201.120
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※ 編輯: yiting428 (36.230.201.120), 03/31/2019 16:57:36
2F：推 op48: 1.S/D端 都是n+ 你說的body是p 所以相較於吸進通道內的載子 03/31 20:39
3F：→ op48: 較少 03/31 20:39
4F：→ op48: 2.Vd=Vdsat時 通道內載子速度飽和 多的電壓跨在D端 不會使電 03/31 20:41
5F：→ op48: 流增加 03/31 20:41
6F：推 op48: 3.p端的多數載子電動擴散到空乏區後 被電場抽到n端 就變成n 03/31 20:43
7F：→ op48: 端的少數載子 03/31 20:43
8F：推 qekezfeed: Gate 要給電場才有場效應通道啊 03/31 21:57
謝謝op大的說明！都有想通了
※ 編輯: yiting428 (36.230.201.120), 03/31/2019 23:42:58