作者yiting428 ()
看板Electronics
标题[问题] MOSFET饱和电流
时间Sun Mar 31 16:55:58 2019
大家好
我目前所知道的是
以NMOS来说
进入饱和区之後
电子经由夹止点被注入空乏区
再被Vds造成的电场吸入D极
而正是这边我有疑问
1. 若考虑P型基底与S极共接至外部电源负端
D极接外部电源正端
这个时候P型基底与D极(n+ type)不就形同逆偏的PN接面吗？
如果这时候经由夹止点进入空乏区的电子都能够被电场吸入D极
那为什麽一般的二极体逆偏时却只有微量的漏电流？
2. 承上点，若是Vds继续加大
不同时也是使电场强度加大
为什麽不能吸入更多数量的电子
使Id上升呢？
3. 承第1点
书上写到二极体漏电流的产生是因为少数载子浓度
那假设我今天只看N型区
N型是掺杂5价元素，使电子浓度提高
那这样照理来说不会有电洞阿？
因为自己是电子系学生
当时学电子学时对於材料的物理原理几乎是忽视的
现在回头来看发现自己所学的有点虚
请高手帮忙解惑了，谢谢！
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1F：→ snsdakb48: 我有个学妹 从我大二洗澡到出社会了还没洗完…03/27 22:36
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※ 编辑: yiting428 (36.230.201.120), 03/31/2019 16:57:36
2F：推 op48: 1.S/D端 都是n+ 你说的body是p 所以相较於吸进通道内的载子 03/31 20:39
3F：→ op48: 较少 03/31 20:39
4F：→ op48: 2.Vd=Vdsat时 通道内载子速度饱和 多的电压跨在D端 不会使电 03/31 20:41
5F：→ op48: 流增加 03/31 20:41
6F：推 op48: 3.p端的多数载子电动扩散到空乏区後 被电场抽到n端 就变成n 03/31 20:43
7F：→ op48: 端的少数载子 03/31 20:43
8F：推 qekezfeed: Gate 要给电场才有场效应通道啊 03/31 21:57
谢谢op大的说明！都有想通了
※ 编辑: yiting428 (36.230.201.120), 03/31/2019 23:42:58