作者laminar (lalala)
看板Electronics
標題[問題] 蕭特基接觸
時間Sun Dec 2 21:16:03 2018
板上大大好
最近在研讀半導體時有些疑問
關於 汞探針C-V量測半導體阻值
是利用金屬與磊晶層形成蕭特基接觸
而在金屬與磊晶層之間的形成空乏區
藉由改變電壓的大小
電容大小隨之改變
可測得參雜之濃度
請問這裡的空乏區就像電容器內絕緣層的概念嗎
因為非本科系
一點笨問題
還請大大指點
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1F：推 jfsu: 它是比較像PN-junction 12/02 22:15
2F：→ jfsu: 但卻是由多數載子主導電流，PN接面是少數載子。 12/02 22:17
4F：推 Schottky: 樓上說得沒錯 12/03 17:57
5F：→ mmonkeyboyy: 然後太薄就穿過去了 12/03 19:54
6F：→ laminar: 那請問對於：cv量測首先要先形成MOS結構 這句話有衝突嗎 12/04 09:52
7F：→ laminar: ？所以對於汞cv量測來說空乏層便是MOS中的O嗎？ 12/04 09:52