作者laminar (lalala)
看板Electronics
标题[问题] 萧特基接触
时间Sun Dec 2 21:16:03 2018
板上大大好
最近在研读半导体时有些疑问
关於 汞探针C-V量测半导体阻值
是利用金属与磊晶层形成萧特基接触
而在金属与磊晶层之间的形成空乏区
藉由改变电压的大小
电容大小随之改变
可测得参杂之浓度
请问这里的空乏区就像电容器内绝缘层的概念吗
因为非本科系
一点笨问题
还请大大指点
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1F：推 jfsu: 它是比较像PN-junction 12/02 22:15
2F：→ jfsu: 但却是由多数载子主导电流，PN接面是少数载子。 12/02 22:17
4F：推 Schottky: 楼上说得没错 12/03 17:57
5F：→ mmonkeyboyy: 然後太薄就穿过去了 12/03 19:54
6F：→ laminar: 那请问对於：cv量测首先要先形成MOS结构 这句话有冲突吗 12/04 09:52
7F：→ laminar: ？所以对於汞cv量测来说空乏层便是MOS中的O吗？ 12/04 09:52