作者deansam (hunter)
看板Electronics
標題[問題] NMOS導通時body diode的行為
時間Wed Nov 23 21:59:48 2016
請問一個功率NMOS在turn on的時候，
此時電路的電流方向為由S流向D端，
若瞬間的電流非常大達數百安培導致Rdson上的跨壓極大，
甚至遠大於body diode導通的跨壓
此時電流會如何流動?
因小弟非半導體相關 對NMOS結構不了解 只能從等效模型來推斷
照等效模型來看電流應該會完全走body diode而不走N通道
請問是否正確?
感謝
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.231.97.60
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1F：推 joy830: 不會超過 11/23 22:05
2F：→ GiantChicken: MOSFET應該會先屎掉 11/23 22:09
3F：推 W28327688: 如果Isd*Rds(on)>Body diode的Vt，Isd會分流 11/23 22:10
感謝回覆 如果是瞬間一根大電流幾百A 照MOS datasheet來看Isd*Rds(on)已經遠大於
此電流下body diode的跨壓 此時會分流還是完全流過body diode呢?兩者跨壓差了兩
倍以上
※ 編輯: deansam (36.231.97.60), 11/23/2016 22:15:54
4F：推 hsujerry: 這種情況有點像靜電放電(ESD)發生的情形，NMOS下的雜散 11/24 22:07
5F：→ hsujerry: BJT或SCR會因為突來的高壓/高電流而導通或崩潰，此時的 11/24 22:09
6F：→ hsujerry: 元件特性已不在普通等效模型的範圍內~ ESD的時間短暫， 11/24 22:12
7F：→ hsujerry: 總能量有限，大部分有考量過的元件還能承受，承受不了的 11/24 22:14
8F：→ hsujerry: 就會燒壞(不一定能從外觀看到)，長時間高壓高電流應該算 11/24 22:16
9F：→ hsujerry: 是過度電性應力(EOS)，理論上正常操作情況下應避免出現 11/24 22:21
11F：→ hsujerry: 線上升，對應到實際情況就是發熱、再來就燒惹~ 11/24 22:41
12F：推 im7260393: 接W大的話，會分流直到Isd*Rds=Vd，bodydiode流過電流 11/24 22:56
13F：→ im7260393: 也是有壓降有等效內阻的 11/24 22:56
14F：推 NMOS: 你確定嗎？ 12/22 23:32