作者deansam (hunter)
看板Electronics
标题[问题] NMOS导通时body diode的行为
时间Wed Nov 23 21:59:48 2016
请问一个功率NMOS在turn on的时候，
此时电路的电流方向为由S流向D端，
若瞬间的电流非常大达数百安培导致Rdson上的跨压极大，
甚至远大於body diode导通的跨压
此时电流会如何流动?
因小弟非半导体相关 对NMOS结构不了解 只能从等效模型来推断
照等效模型来看电流应该会完全走body diode而不走N通道
请问是否正确?
感谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 36.231.97.60
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1F：推 joy830: 不会超过 11/23 22:05
2F：→ GiantChicken: MOSFET应该会先屎掉 11/23 22:09
3F：推 W28327688: 如果Isd*Rds(on)>Body diode的Vt，Isd会分流 11/23 22:10
感谢回覆 如果是瞬间一根大电流几百A 照MOS datasheet来看Isd*Rds(on)已经远大於
此电流下body diode的跨压 此时会分流还是完全流过body diode呢?两者跨压差了两
倍以上
※ 编辑: deansam (36.231.97.60), 11/23/2016 22:15:54
4F：推 hsujerry: 这种情况有点像静电放电(ESD)发生的情形，NMOS下的杂散 11/24 22:07
5F：→ hsujerry: BJT或SCR会因为突来的高压/高电流而导通或崩溃，此时的 11/24 22:09
6F：→ hsujerry: 元件特性已不在普通等效模型的范围内~ ESD的时间短暂， 11/24 22:12
7F：→ hsujerry: 总能量有限，大部分有考量过的元件还能承受，承受不了的 11/24 22:14
8F：→ hsujerry: 就会烧坏(不一定能从外观看到)，长时间高压高电流应该算 11/24 22:16
9F：→ hsujerry: 是过度电性应力(EOS)，理论上正常操作情况下应避免出现 11/24 22:21
11F：→ hsujerry: 线上升，对应到实际情况就是发热、再来就烧惹~ 11/24 22:41
12F：推 im7260393: 接W大的话，会分流直到Isd*Rds=Vd，bodydiode流过电流 11/24 22:56
13F：→ im7260393: 也是有压降有等效内阻的 11/24 22:56
14F：推 NMOS: 你确定吗？ 12/22 23:32