作者darien ( 毛茸茸)
看板Electronics
標題[問題] MOSFET carrier mobility
時間Thu Nov 3 21:57:44 2016
各位大神們好:
課本有提到簡單的量測FET的mobility方法
分為用linear region的數據或者是saturated region的數據
但我目前讀到大部分的文獻都用saturated region
也就是畫 (I)^0.5 - V_GS curve去做斜率得到mobility
想請問實際操作方面 要是要用linear region的算法
i.e. I = WuC(V_GS - V_T)V_DS / L 利用此公式
用I-V_GS做圖得到斜率在簡單換算回mobility, u值
但通常會在不同V_DS下去掃V_GS
這時候每張I-V圖得出的mobility會有一些差異
所以是將這些mobility平均掉嗎??
example 假設在 5 個 V_DS 下
V_DS = 50V , 60V , 70V , 80V , 90V
掃過V_GS後去做圖得到五個u
再將這五個u平均嗎??
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