各位大神们好: 课本有提到简单的量测FET的mobility方法 分为用linear region的数据或者是saturated region的数据 但我目前读到大部分的文献都用saturated region 也就是画 (I)^0.5 - V_GS curve去做斜率得到mobility 想请问实际操作方面 要是要用linear region的算法 i.e. I = WuC(V_GS - V_T)V_DS / L 利用此公式 用I-V_GS做图得到斜率在简单换算回mobility, u值 但通常会在不同V_DS下去扫V_GS 这时候每张I-V图得出的mobility会有一些差异 所以是将这些mobility平均掉吗?? example 假设在 5 个 V_DS 下 V_DS = 50V , 60V , 70V , 80V , 90V 扫过V_GS後去做图得到五个u 再将这五个u平均吗?? --

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