作者ykuei (YKWang~~)
看板Electronics
標題[問題] pre sim 和pro sim差異很大
時間Sat Jan 24 03:05:18 2015
下圖是我的電路圖
http://miupix.cc/pm-61GQOE
架構圖裡面有Pseudo Resistor的MOS尺寸，架構圖上的數字是節點電壓，我跑pre sim的時候外部電源給都正常，但我跑post sim的時候，因為Pseudo Resistor的緣故，導致我OP輸入端與輸出端的電壓準位跑掉，op就無法正常工作
於是我就將pseudo用理想電阻取代的話，直流準位則是都沒問題，但就不是我要的performance
所以我想問我該如何去做改善?
所用的元件都是 T18的3v device
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1F：→ CaskY: R值飄掉吧? 不過應該不會影響到DC點才對阿 01/24 04:42
2F：→ ykuei: 我現在麻煩的是不知道怎麼讓pseudo resistor的兩端 01/24 14:44
3F：→ ykuei: 維持在vdd/2附近 01/24 14:45
4F：→ kameng: 直覺是nmos的deep n-well問題,有把deep n-well接好嗎? 01/24 22:00
5F：→ ykuei: 我pseudo都是pmos 01/24 22:25
9F：→ ykuei: 上面是我的layout圖，麻煩大家幫忙ㄧ下 01/24 22:31
10F：推 kameng: 你這個是用 deep n well製程嗎？抱歉，是我看錯 01/25 00:25
11F：→ ykuei: 我不確定欸，我就用T18的3v device 01/25 02:16
12F：→ ykuei: 我今天還有將pseudo resistor的body都接vdd準位還是不對 01/25 02:17
13F：推 kerkerker: 假如先把下面的pseudo resistor的W/L故意調很大呢? 01/25 21:54
14F：→ kerkerker: 不確定是不是有漏電讓小的i乘上大的R造成明顯的壓降 01/25 21:56
15F：→ ykuei: 下面的問題我解決了，但現在就是上面那顆的問題 01/25 22:59
16F：→ ykuei: 上面那顆兩端無法在vdd/2 01/25 23:04
17F：推 Baneling: 這個pseudo resistor試著使用完全對稱的架構先試試看 01/26 17:15
18F：→ ykuei: 感謝大家，我抽c的時候電路正常運作 01/26 23:42
19F：→ ykuei: 但只要抽到r，上面那顆的直流準位就跑掉 01/26 23:43
20F：→ ykuei: 但實驗室學長說我量的是低頻訊號，不用抽r這個說法是對的 01/26 23:44
21F：→ ykuei: 嗎？ 01/26 23:44
22F：→ ery001: 當然不對，你不是看到活生生的例子？"DC"偏壓跑掉！ 02/03 07:07