作者ykuei (YKWang~~)
看板Electronics
标题[问题] pre sim 和pro sim差异很大
时间Sat Jan 24 03:05:18 2015
下图是我的电路图
http://miupix.cc/pm-61GQOE
架构图里面有Pseudo Resistor的MOS尺寸，架构图上的数字是节点电压，我跑pre sim的时候外部电源给都正常，但我跑post sim的时候，因为Pseudo Resistor的缘故，导致我OP输入端与输出端的电压准位跑掉，op就无法正常工作
於是我就将pseudo用理想电阻取代的话，直流准位则是都没问题，但就不是我要的performance
所以我想问我该如何去做改善?
所用的元件都是 T18的3v device
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1F：→ CaskY: R值飘掉吧? 不过应该不会影响到DC点才对阿 01/24 04:42
2F：→ ykuei: 我现在麻烦的是不知道怎麽让pseudo resistor的两端 01/24 14:44
3F：→ ykuei: 维持在vdd/2附近 01/24 14:45
4F：→ kameng: 直觉是nmos的deep n-well问题,有把deep n-well接好吗? 01/24 22:00
5F：→ ykuei: 我pseudo都是pmos 01/24 22:25
9F：→ ykuei: 上面是我的layout图，麻烦大家帮忙ㄧ下 01/24 22:31
10F：推 kameng: 你这个是用 deep n well制程吗？抱歉，是我看错 01/25 00:25
11F：→ ykuei: 我不确定欸，我就用T18的3v device 01/25 02:16
12F：→ ykuei: 我今天还有将pseudo resistor的body都接vdd准位还是不对 01/25 02:17
13F：推 kerkerker: 假如先把下面的pseudo resistor的W/L故意调很大呢? 01/25 21:54
14F：→ kerkerker: 不确定是不是有漏电让小的i乘上大的R造成明显的压降 01/25 21:56
15F：→ ykuei: 下面的问题我解决了，但现在就是上面那颗的问题 01/25 22:59
16F：→ ykuei: 上面那颗两端无法在vdd/2 01/25 23:04
17F：推 Baneling: 这个pseudo resistor试着使用完全对称的架构先试试看 01/26 17:15
18F：→ ykuei: 感谢大家，我抽c的时候电路正常运作 01/26 23:42
19F：→ ykuei: 但只要抽到r，上面那颗的直流准位就跑掉 01/26 23:43
20F：→ ykuei: 但实验室学长说我量的是低频讯号，不用抽r这个说法是对的 01/26 23:44
21F：→ ykuei: 吗？ 01/26 23:44
22F：→ ery001: 当然不对，你不是看到活生生的例子？"DC"偏压跑掉！ 02/03 07:07