作者dedicationsh (ddd)
看板Electronics
標題[問題] 有關半導體元件MOSFET 內建電壓的問題
時間Sun Dec 14 10:02:56 2014
假如原本一個 閘極是n+ 基極是 p 的MOSFET
我測量到它的內建電壓是2V
那如果我把n+換成p+
那它的內建電壓會變多少呢
假設Eg=1.1eV
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1F：推 jfsu: 你是如何量測的? 12/14 23:54
2F：→ dedicationsh: 題目給的.. 12/15 01:35
3F：推 jfsu: 所以是 gate與substrate之間的built-in voltage=2.0V 12/15 03:27
4F：→ jfsu: 然後材質互換之後，再次求解? 12/15 03:28
5F：推 henryrax: Built-in-voltage應該不到2V吧?用P-type poly-Si的話 12/21 12:15
6F：→ henryrax: built-in voltage應該更小才對 12/21 12:16
7F：推 henryrax: Vth也會被改變,因Flat-band V 12/21 12:18