作者dedicationsh (ddd)
看板Electronics
标题[问题] 有关半导体元件MOSFET 内建电压的问题
时间Sun Dec 14 10:02:56 2014
假如原本一个 闸极是n+ 基极是 p 的MOSFET
我测量到它的内建电压是2V
那如果我把n+换成p+
那它的内建电压会变多少呢
假设Eg=1.1eV
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1F：推 jfsu: 你是如何量测的? 12/14 23:54
2F：→ dedicationsh: 题目给的.. 12/15 01:35
3F：推 jfsu: 所以是 gate与substrate之间的built-in voltage=2.0V 12/15 03:27
4F：→ jfsu: 然後材质互换之後，再次求解? 12/15 03:28
5F：推 henryrax: Built-in-voltage应该不到2V吧?用P-type poly-Si的话 12/21 12:15
6F：→ henryrax: built-in voltage应该更小才对 12/21 12:16
7F：推 henryrax: Vth也会被改变,因Flat-band V 12/21 12:18