作者Zoma (喔喔喔~~~)
看板Electronics
標題[請益] on wafer量測之calibration
時間Mon May 2 17:54:56 2011
我目前研究主題是要自己製作電晶體,並量測其RF特性,ft fmax之類,
但我對於calibration不熟,怕畫光罩時出錯,因此想請問一下各位,
我是on wafer的量測,使用GSG pitch 100um之針,
量測的配置為以bias tee連接DC supply與VNA,再把訊號送到probe,
有關於calibration,我查挺多人是以Cascade之ISS(impedance standard substrate)
先calibrate到針尖,然後量測S參數,之後再以open short法作de-embeded,
但因為我們自製元件,不同大小的DUT會搭配不一樣的RF pad,
如果這些pad我都有作相對應的SLOT test structure,
若一開始我直接以這些test structure作SLOT calibration,
是否這些pad的parasitics就會被calibrate掉,而不須做兩階段的calibration?
初入此門,苦無人可問,麻煩各位賜教了~
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◆ From: 140.112.49.136
※ 編輯: Zoma 來自: 140.112.49.136 (05/02 17:55)
1F：推 ultimachen:自己作的沒有load 05/02 20:16
2F：→ Zoma:有耶~老師要我用Ni-Cr去作Load~~ 05/02 20:30
3F：推 ShineOnYou:請問一下有沒有甚麼理由一定要一次cal掉呢? 05/02 20:44
4F：→ Zoma:ㄜ...理由很尷尬...因為我老師不希望我買ISS... 05/02 22:19
5F：→ Zoma:因為他說以前Milton Feng那裏都沒人用ISS...大家都自己作... 05/02 22:20
6F：→ Zoma:但我查到好像挺少人這麼做的...所以才想上來請教一下~ 05/02 22:21
7F：推 ShineOnYou:你應該是Dr.黃的學生吧?我覺得可以 不過我也沒這樣做過 05/02 22:26
8F：→ ShineOnYou:而且我不知道跟calibration的方法有沒有關 不過你可以 05/02 22:27
9F：→ ShineOnYou:google一下Suss或LRM+ 05/02 22:27
10F：→ Zoma:是的我是JJ的學生~非常感謝你~我會查查看的~thx!! 05/02 22:41