※ 引述《gauss760220 (章魚)》之銘言： : 1.請說明積體電路(IC)製程中"60奈米"製程代表何種意義?是指何種元件之那一部份 : 之尺寸? : [想法]:意義我不太知道(請高手指點) 但後者應該是指"MOS"的"channel length"吧? 我們常說的90/65/45/32奈米製程，這些指的是製程世代/節點 (technology generation/node。) a.對邏輯產品而言，指的是電路佈局上MOS的閘極寬度(gate length) b.對DRAM產品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width) c.對Flash產品而言，指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離 一般而言，比較傾向是a的說法。其他可以知道，但請記得記憶體與邏輯產品還是有 不同的地方。 : 2.於室溫時,一個理想二極體有一短路電流3安培,開路電壓0.6伏特: : (一)計算並繪出以電壓為函數之輸出功率圖 : (二)計算填滿因子(Fill Factor) : [想法]:第一小題不會 但第二小題的FF=Pmax/IscVoc 沒有Pmax要如何求FF? 靠!這題我居然不會....T_T....是solar cell相關的東西嗎? : 3.請寫出載子遷移率(mobility)和載子平均移動速度的關係式,並解釋為什麼電場很強時 : ,載子遷移率會降低 : [想法]:第一小題應該是v=uE(u表示遷移率) 第二小題如果解釋為電場很強時 載子受到 : 晶格碰撞的機會會提高 所以遷移率會下降 不知是否有誤? : 請高手給予指教 謝謝 → → ν = μx E，其中ν與E都是向量。 你的說法應該是溫度升高，晶格中的原子碰撞會更明顯，所以μ會降低。 這並非是正確答案。 首先我們先看看下面電場與移動速度的圖。 ν │ D │ __C___／ │ ╱ │ ／ B │╱ A └──────────E 在區域A，載子的平均移動速度與電場E是線性關係。 在區域B(有點弧度，但我畫不出來)部份電場激發晶體內的光聲子(optical phonon) 而損失電場能量，因此速度有減緩的趨勢。 在區域C，電場持續增加，幾乎所有的能量都在激發光聲子，這會導致遷移率的下降以至 漂移速度的飽和； 在區域D，能量足夠高的載子甚至會引起所謂轉移電子效應（transferred electron effect）與各種類型的碰撞電離，如半導體中的雪崩崩潰(avalanche breakdown) 附上教科書上的IEEE論文出處: Reference: "Carrier mobilities in silicon empirically related to doping and field" Caughey, D.M.; Thomas, R.E.; Proceedings of the IEEE Volume: 55 On page(s): 2192 - 2193 -- 在臺灣，何謂R&D工程師? 1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。 2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。 3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話! 4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就會Random Death (隨時陣亡) 但是外派到大陸的臺灣郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割! --

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