※ 引述《gauss760220 (章鱼)》之铭言： : 1.请说明积体电路(IC)制程中"60奈米"制程代表何种意义?是指何种元件之那一部份 : 之尺寸? : [想法]:意义我不太知道(请高手指点) 但後者应该是指"MOS"的"channel length"吧? 我们常说的90/65/45/32奈米制程，这些指的是制程世代/节点 (technology generation/node。) a.对逻辑产品而言，指的是电路布局上MOS的闸极宽度(gate length) b.对DRAM产品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width) c.对Flash产品而言，指的是相邻两个浮动闸极(floating gate)的距离 一般而言，比较倾向是a的说法。其他可以知道，但请记得记忆体与逻辑产品还是有 不同的地方。 : 2.於室温时,一个理想二极体有一短路电流3安培,开路电压0.6伏特: : (一)计算并绘出以电压为函数之输出功率图 : (二)计算填满因子(Fill Factor) : [想法]:第一小题不会 但第二小题的FF=Pmax/IscVoc 没有Pmax要如何求FF? 靠!这题我居然不会....T_T....是solar cell相关的东西吗? : 3.请写出载子迁移率(mobility)和载子平均移动速度的关系式,并解释为什麽电场很强时 : ,载子迁移率会降低 : [想法]:第一小题应该是v=uE(u表示迁移率) 第二小题如果解释为电场很强时 载子受到 : 晶格碰撞的机会会提高 所以迁移率会下降 不知是否有误? : 请高手给予指教 谢谢 → → ν = μx E，其中ν与E都是向量。 你的说法应该是温度升高，晶格中的原子碰撞会更明显，所以μ会降低。 这并非是正确答案。 首先我们先看看下面电场与移动速度的图。 ν │ D │ __C___／ │ ╱ │ ／ B │╱ A └──────────E 在区域A，载子的平均移动速度与电场E是线性关系。 在区域B(有点弧度，但我画不出来)部份电场激发晶体内的光声子(optical phonon) 而损失电场能量，因此速度有减缓的趋势。 在区域C，电场持续增加，几乎所有的能量都在激发光声子，这会导致迁移率的下降以至 漂移速度的饱和； 在区域D，能量足够高的载子甚至会引起所谓转移电子效应（transferred electron effect）与各种类型的碰撞电离，如半导体中的雪崩崩溃(avalanche breakdown) 附上教科书上的IEEE论文出处: Reference: "Carrier mobilities in silicon empirically related to doping and field" Caughey, D.M.; Thomas, R.E.; Proceedings of the IEEE Volume: 55 On page(s): 2192 - 2193 -- 在台湾，何谓R&D工程师? 1.Reverse and Decap :IC反相工程，去胶，打开封装，拍照，复制电路布局。 2.Resign and Die :没死的就操到辞职，没辞职的就操到死。 3.Rework and Debug :计画永远跟不上变化，变化永远跟不上老板的一句话! 4.Relax and Delay :太过於轻松(Relax)，那麽就会Random Death (随时阵亡) 但是外派到大陆的台湾郎，晚上是R (鸭)陪客户，白天是D (猪)任人宰割! --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 203.66.222.12