作者CruiseTom (庫魯斯湯姆)
看板Electronics
標題[問題] DRAM製程和邏輯IC的困難點差在哪
時間Wed Mar 2 00:24:01 2011
抱歉
想請教大家
DRAM的製程和邏輯IC(也就是台積電所代工的)的各自的製程困難點為何?
我的認知是DRAM每個MOSFET都要接一個電容
所以DRAM的更細微影製程還要考慮電容?
只是我不太了解的是都有MOSFET
為什麼台積電的微影製程可以走在前端
可是台灣的DRAM廠卻落後韓國一個世代
是否DRAM和一般台積電所代工的IC的各自製程著重點不同?
謝謝大家
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 111.235.208.181
1F：推 pow:DRAM => cost 邏輯==>（目前）variation 03/02 08:03
2F：→ jacobfly:樓上點出讓人心酸的秘密.... 03/02 10:30
3F：→ CruiseTom:可是大家的微影不是都是針對MOSFET嗎? 03/02 19:34
4F：→ CruiseTom:都是對mosfet做更細微的微影 為什麼dram製程輸韓國 03/03 00:57
5F：推 gamesame7711:1F... 03/03 01:41
6F：推 pow:DRAM絕對不是MOSFET DRAM裡面的MOSFET非常的差.. 03/03 22:27
7F：→ pow:而且只有兩或三層metal 一切就是為了cost 03/03 22:28