作者CruiseTom (库鲁斯汤姆)
看板Electronics
标题[问题] DRAM制程和逻辑IC的困难点差在哪
时间Wed Mar 2 00:24:01 2011
抱歉
想请教大家
DRAM的制程和逻辑IC(也就是台积电所代工的)的各自的制程困难点为何?
我的认知是DRAM每个MOSFET都要接一个电容
所以DRAM的更细微影制程还要考虑电容?
只是我不太了解的是都有MOSFET
为什麽台积电的微影制程可以走在前端
可是台湾的DRAM厂却落後韩国一个世代
是否DRAM和一般台积电所代工的IC的各自制程着重点不同?
谢谢大家
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◆ From: 111.235.208.181
1F：推 pow:DRAM => cost 逻辑==>（目前）variation 03/02 08:03
2F：→ jacobfly:楼上点出让人心酸的秘密.... 03/02 10:30
3F：→ CruiseTom:可是大家的微影不是都是针对MOSFET吗? 03/02 19:34
4F：→ CruiseTom:都是对mosfet做更细微的微影 为什麽dram制程输韩国 03/03 00:57
5F：推 gamesame7711:1F... 03/03 01:41
6F：推 pow:DRAM绝对不是MOSFET DRAM里面的MOSFET非常的差.. 03/03 22:27
7F：→ pow:而且只有两或三层metal 一切就是为了cost 03/03 22:28