作者divhexa (迎風)
看板Electronics
標題[請益] poly電阻疑問
時間Sat Jan 8 02:19:25 2011
最近剛接觸TSMC 0.18um製程，對於其中poly電阻的部分有點疑問
由於我想使用poly電阻作為resistive load
因此希望電阻變異的值越小越好
查過TSMC.18um製程manual
發現n+ poly w/o silicide的片電阻變異量最小，約正負10%
而p+ poly w/o silicide片電阻變異量稍微比前者大一點，約正負14%
但是之前有在國外討論區看過一些討論串，是說p+ poly電阻match得較好
因此我有兩個問題：
1. 請問所謂 "p+ poly電阻match得較好" 是指兩個電阻間的比例是否match嗎？
2. 如果我想得到較精準的電阻值，是應該選用n+ poly w/o silicide嗎？
希望有人能解答一下
謝謝
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◆ From: 114.37.130.151
1F：→ Mauder:首先 先確定你的電路的電阻值是要絕對值準確 還是要相對準 01/08 03:15
2F：→ Mauder:確 所謂matching指的電路裡的相同特性元件值是接近的 通常 01/08 03:17
3F：→ Mauder:而言我們會希望電路特性不要和元件的絕對值相關 因為就像你 01/08 03:17
4F：→ Mauder:說得通常會有10%以上的變異 如果電路特性是跟元件值彼此的 01/08 03:18
5F：→ Mauder:比值有關係 那我就只需要把兩個電阻值做的很接近就好 01/08 03:19
6F：→ Mauder:結論就是 如果你要求絕對值準確 那就用n+ 要相對值準確就p+ 01/08 03:20
7F：→ divhexa:感謝樓上的回答，這樣我知道要怎麼做了 01/08 13:40