作者divhexa (迎风)
看板Electronics
标题[请益] poly电阻疑问
时间Sat Jan 8 02:19:25 2011
最近刚接触TSMC 0.18um制程，对於其中poly电阻的部分有点疑问
由於我想使用poly电阻作为resistive load
因此希望电阻变异的值越小越好
查过TSMC.18um制程manual
发现n+ poly w/o silicide的片电阻变异量最小，约正负10%
而p+ poly w/o silicide片电阻变异量稍微比前者大一点，约正负14%
但是之前有在国外讨论区看过一些讨论串，是说p+ poly电阻match得较好
因此我有两个问题：
1. 请问所谓 "p+ poly电阻match得较好" 是指两个电阻间的比例是否match吗？
2. 如果我想得到较精准的电阻值，是应该选用n+ poly w/o silicide吗？
希望有人能解答一下
谢谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 114.37.130.151
1F：→ Mauder:首先 先确定你的电路的电阻值是要绝对值准确 还是要相对准 01/08 03:15
2F：→ Mauder:确 所谓matching指的电路里的相同特性元件值是接近的 通常 01/08 03:17
3F：→ Mauder:而言我们会希望电路特性不要和元件的绝对值相关 因为就像你 01/08 03:17
4F：→ Mauder:说得通常会有10%以上的变异 如果电路特性是跟元件值彼此的 01/08 03:18
5F：→ Mauder:比值有关系 那我就只需要把两个电阻值做的很接近就好 01/08 03:19
6F：→ Mauder:结论就是 如果你要求绝对值准确 那就用n+ 要相对值准确就p+ 01/08 03:20
7F：→ divhexa:感谢楼上的回答，这样我知道要怎麽做了 01/08 13:40