作者p5285070 (LOUIS)
看板Electronics
標題[問題] TSMC .35製程的DRC
時間Wed Nov 17 12:02:18 2010
我昨天第一次畫layout，因為我作業的電路有顆NMOS設計很小，W=0.4u，L=0.35u
都是製程檔所允許的下限，所以用HSPICE模擬會過
畫layout時，用Ctrl+M叫出NMOS，W和L都同上，他會S/D各幫我打一個contact，
但N-imp變成中間窄兩端寬，類似啞鈴的形狀，要把W加到0.7u才會是長方形。
我看rule說contact往外延伸0.15u都要是diff，也就是contact 0.4u往上0.15u
往下0.15u，W至少要0.7u才行，那它W畫0.4u讓contact塞滿這樣會過DRC嗎?因為我昨天
直接改成0.7u畫，沒試過。
如果不行的話，為什麼model檔的W下限不設成0.4u+0.15u*2=0.7u呢?
另外聽同學轉述別的同學說，遇到這種情形，畫一個更大的長方形N-imp蓋過整個
MOS就會過了?真的嗎?
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 111.251.218.224
1F：推 cpt:model的參數範圍不一定保證layout DRC clean, 各家PDK都有這 11/17 12:17
2F：→ cpt:問題 11/17 12:17
3F：推 asggiga:contact拉離poly遠一點試試....有點久沒畫.35有點忘了 11/17 20:49
4F：→ samm3320:加大N-imp的方法是對的 11/19 11:53
5F：→ samm3320:W小本來就會有狗骨頭修一下就好了 11/19 11:55
6F：推 Rencai:你可以找diff to poly的rule，把狗骨頭兩端按rule拉離poly 11/23 16:12
7F：→ Rencai:就好 11/23 16:12