作者p5285070 (LOUIS)
看板Electronics
标题[问题] TSMC .35制程的DRC
时间Wed Nov 17 12:02:18 2010
我昨天第一次画layout，因为我作业的电路有颗NMOS设计很小，W=0.4u，L=0.35u
都是制程档所允许的下限，所以用HSPICE模拟会过
画layout时，用Ctrl+M叫出NMOS，W和L都同上，他会S/D各帮我打一个contact，
但N-imp变成中间窄两端宽，类似哑铃的形状，要把W加到0.7u才会是长方形。
我看rule说contact往外延伸0.15u都要是diff，也就是contact 0.4u往上0.15u
往下0.15u，W至少要0.7u才行，那它W画0.4u让contact塞满这样会过DRC吗?因为我昨天
直接改成0.7u画，没试过。
如果不行的话，为什麽model档的W下限不设成0.4u+0.15u*2=0.7u呢?
另外听同学转述别的同学说，遇到这种情形，画一个更大的长方形N-imp盖过整个
MOS就会过了?真的吗?
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 111.251.218.224
1F：推 cpt:model的参数范围不一定保证layout DRC clean, 各家PDK都有这 11/17 12:17
2F：→ cpt:问题 11/17 12:17
3F：推 asggiga:contact拉离poly远一点试试....有点久没画.35有点忘了 11/17 20:49
4F：→ samm3320:加大N-imp的方法是对的 11/19 11:53
5F：→ samm3320:W小本来就会有狗骨头修一下就好了 11/19 11:55
6F：推 Rencai:你可以找diff to poly的rule，把狗骨头两端按rule拉离poly 11/23 16:12
7F：→ Rencai:就好 11/23 16:12