作者wrt (一片小蛋糕)
看板Electronics
標題[問題] mosFET的問題
時間Sun Nov 14 20:41:21 2010
1. body effect
為何在body端加一個負電壓 會使Vt上升
如果在body加負電壓 電子應該會被排斥到oxide接觸面
使得Vt需要吸引得電子變少才對啊
(因為body的負電已經排上去很多電子了)
所以Vt應該要下降才是啊
使得Vt需要吸引得電子變少才對啊
(因為body的負電已經排上去很多電子了)
(因為body的負電已經排上去很多電子了)
所以Vt應該要下降才是啊
為何是上升呢?
2.short channel effect 和 channel length modulation
這兩個是在說一樣的東西嗎??
前者是在說VD電壓上升 使Vt變小
後者在說在飽和時 VD電壓上升 電流還是會些微變大
這兩個我怎麼看都是在說一樣的東西啊
只是一個是非飽和一個是飽和狀態下
電流變大不就是等於Vt下降嗎?
觀念有點不清楚 請高人解答 感謝
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 220.135.174.152
1F：推 Williamette:不知道你在問什麼...body加負電壓本來Vt就會下降啊 11/14 21:16
課本上寫body加負電壓 Vt會變大@@
2F：推 stevegood:你應該去修電路設計的課 不然就看看書也有吧 11/14 22:27
※ 編輯: wrt 來自: 220.135.174.152 (11/14 23:25)
3F：推 joy830:我想1F是對的 11/14 23:34
4F：推 kb76628:NMOS和PMOS不一樣 11/15 00:28
5F：→ kb76628:NMOS body加負電壓,Vt上升;PMOS body加負電壓,Vt下降 11/15 00:29
對 不好意思 我說得是nMOS 為什麼呢?
※ 編輯: wrt 來自: 220.135.174.152 (11/15 01:21)
6F：推 hgvxd:好像是逆偏電壓使空乏區變大的關係使Vt上升?我記得書上有寫 11/15 09:42
7F：→ hgvxd:去翻看看吧~ 11/15 09:42