作者wrt (一片小蛋糕)
看板Electronics
标题[问题] mosFET的问题
时间Sun Nov 14 20:41:21 2010
1. body effect
为何在body端加一个负电压 会使Vt上升
如果在body加负电压 电子应该会被排斥到oxide接触面
使得Vt需要吸引得电子变少才对啊
(因为body的负电已经排上去很多电子了)
所以Vt应该要下降才是啊
使得Vt需要吸引得电子变少才对啊
(因为body的负电已经排上去很多电子了)
(因为body的负电已经排上去很多电子了)
所以Vt应该要下降才是啊
为何是上升呢?
2.short channel effect 和 channel length modulation
这两个是在说一样的东西吗??
前者是在说VD电压上升 使Vt变小
後者在说在饱和时 VD电压上升 电流还是会些微变大
这两个我怎麽看都是在说一样的东西啊
只是一个是非饱和一个是饱和状态下
电流变大不就是等於Vt下降吗?
观念有点不清楚 请高人解答 感谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.135.174.152
1F：推 Williamette:不知道你在问什麽...body加负电压本来Vt就会下降啊 11/14 21:16
课本上写body加负电压 Vt会变大@@
2F：推 stevegood:你应该去修电路设计的课 不然就看看书也有吧 11/14 22:27
※ 编辑: wrt 来自: 220.135.174.152 (11/14 23:25)
3F：推 joy830:我想1F是对的 11/14 23:34
4F：推 kb76628:NMOS和PMOS不一样 11/15 00:28
5F：→ kb76628:NMOS body加负电压,Vt上升;PMOS body加负电压,Vt下降 11/15 00:29
对 不好意思 我说得是nMOS 为什麽呢?
※ 编辑: wrt 来自: 220.135.174.152 (11/15 01:21)
6F：推 hgvxd:好像是逆偏电压使空乏区变大的关系使Vt上升?我记得书上有写 11/15 09:42
7F：→ hgvxd:去翻看看吧~ 11/15 09:42