作者wahaha99 (此方不可長)
看板Electronics
標題[問題] 請教 N-MOSFET 中 Vgs > Vd 的問題
時間Fri Sep 3 11:46:05 2010
請教一下, 如果為了要克服 Vth 造成的浪費 , 是否可以將 Vgs 墊高到比 Vds 高?
如果可以, 那可以墊到多高呢? 謝謝!
(製作 Class A 放大器使用這樣)
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 220.132.126.29
1F：推 horsemelon:以NMOS來說 極限值就是Vgs>Vds+Vth 才能確保MOS操作 09/03 11:51
2F：→ horsemelon:在saturation區 09/03 11:51
3F：→ wahaha99:了解 感謝 09/03 12:02
4F：推 windboy0620:? 一樓是不是講反了? 09/03 12:44
5F：推 horsemelon:對 反了......應該是小於才對QQ 09/03 12:59
6F：→ wahaha99:有看懂就是 XD 另請問如果 Vgs > Vds + Vth 會燒掉嗎? 09/03 13:01
7F：推 horsemelon:看那顆MOS的size吧 如果很大就代表會有大電流 09/03 13:11
8F：→ horsemelon:不過如果上面沒有PMOS一直導通的話 應該是不會燒壞 09/03 13:12
9F：推 hisanick:看製程 09/04 03:19