作者wahaha99 (此方不可长)
看板Electronics
标题[问题] 请教 N-MOSFET 中 Vgs > Vd 的问题
时间Fri Sep 3 11:46:05 2010
请教一下, 如果为了要克服 Vth 造成的浪费 , 是否可以将 Vgs 垫高到比 Vds 高?
如果可以, 那可以垫到多高呢? 谢谢!
(制作 Class A 放大器使用这样)
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.132.126.29
1F：推 horsemelon:以NMOS来说 极限值就是Vgs>Vds+Vth 才能确保MOS操作 09/03 11:51
2F：→ horsemelon:在saturation区 09/03 11:51
3F：→ wahaha99:了解 感谢 09/03 12:02
4F：推 windboy0620:? 一楼是不是讲反了? 09/03 12:44
5F：推 horsemelon:对 反了......应该是小於才对QQ 09/03 12:59
6F：→ wahaha99:有看懂就是 XD 另请问如果 Vgs > Vds + Vth 会烧掉吗? 09/03 13:01
7F：推 horsemelon:看那颗MOS的size吧 如果很大就代表会有大电流 09/03 13:11
8F：→ horsemelon:不过如果上面没有PMOS一直导通的话 应该是不会烧坏 09/03 13:12
9F：推 hisanick:看制程 09/04 03:19