作者wwwok (AIC)
看板Electronics
標題[問題] 請問如何決定MOS應該切成幾段?
時間Sat Jun 12 01:16:24 2010
請問各位大大
設計電路時,常常會將MOS較大的W值切割成數顆並聯
請問一下 這切割成幾顆是否具有一定的參考標準?
例如假設今天我有一個W=100um的MOS
我切成W=10u m=10和W=20u m=5會有甚麼差別嗎?
謝謝各位
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只有在被愛的時候 才會發現自己是多麼的重要
只有在愛一個人的時候 才會發現原來可以這麼在乎一個人
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◆ From: 58.114.219.206
1F:推 waftwalker:看你LAYOUT方便 06/12 01:36
2F:推 smart1901:m是偶數比較好lay~看你想怎lay就怎切 06/12 01:58
3F:推 deathcustom:W=12.5, M=8比較好 06/12 04:02
4F:推 deathcustom:以要做common centroid的觀點來看4/8/16比較OK 06/12 04:02
5F:推 bb7:m數不一樣模擬結果也會不一樣 06/12 07:48
6F:→ TripleC:很多時候是design rule的限制... 06/12 09:23
7F:推 nature0702:spice model不一樣 所以不要設計在交接處 06/12 13:15
8F:推 mos888tw:樓上正解 我的原則也是設計與bias circuit同一個model 06/12 13:39
9F:→ wuandy10:看方便性與設計規則 不過m來看還是8比較好沒錯 06/12 16:49
10F:→ wwwok:請問一下natur大 何謂交接處阿? 06/12 21:32
11F:推 mos888tw:不同的length,width有不同的model 不要設計在critical 06/12 21:53
12F:→ mos888tw:我想應該是這意思@@ 06/12 21:53
13F:→ wwwok:意思是指說飽和區與三極管區的交接處嗎? 06/12 21:57
14F:→ wwwok:還是說SPICE 中片斷MODEL的交接處呢?謝謝 06/12 21:58
15F:推 mos888tw:不是喔,打開製程model裡面不同區段的length,width都有不 06/12 22:12
16F:→ mos888tw:同的參數,用來偏壓的電流源,我習慣與偏壓電路設計在同 06/12 22:12
17F:→ mos888tw:樣的區間,這樣corner之間的variation才不至於太大 06/12 22:13
18F:→ mos888tw:不過也看狀況 有些電路本來就對製程不敏感 那就方便為主 06/12 22:14
19F:→ wwwok:恩恩~原來如此 我大概了解 多謝各位^^ 06/12 22:24
20F:→ stevegood:layout 可以作摺疊吧 06/12 22:25
21F:推 nature0702:W=10 和W=11 model vth可能就不一樣 可以看foundry給的 06/12 23:02
22F:推 mos888tw:摺疊也是一種方法 width大的 就用個guard ring圍一下 06/12 23:03
23F:→ mos888tw:小心latch up即可 06/12 23:03
24F:推 nature0702:關於元件的spice 因為size差一點 model差很多 06/12 23:06
25F:→ nature0702:只有實際量到的才是真的. simulation就找自己適合方式 06/12 23:10
26F:推 sovereignty:前面講的不同 W, L 的 SPICE model 是 bin model, 是 06/14 08:55
27F:→ sovereignty:foundry 為了讓 model 更準而對 W, L 做的 fitting, 06/14 08:55
28F:→ sovereignty:在 W, L 的某一個 range 裡會定義幾個數個點的確切值 06/14 08:56
29F:→ sovereignty:而中間的 W, L 就用內插求得,但有時會發生收斂性問題 06/14 08:57
30F:→ sovereignty:不過這純粹是 model 實現問題,真實製程不會發生此現 06/14 08:58
31F:→ sovereignty:象,補充說明一下。 06/14 08:58
33F:→ sneak: m 09/17 22:55