作者wwwok (AIC)
看板Electronics
标题[问题] 请问如何决定MOS应该切成几段?
时间Sat Jun 12 01:16:24 2010
请问各位大大
设计电路时，常常会将MOS较大的W值切割成数颗并联
请问一下 这切割成几颗是否具有一定的参考标准?
例如假设今天我有一个W=100um的MOS
我切成W=10u m=10和W=20u m=5会有甚麽差别吗?
谢谢各位
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只有在被爱的时候 才会发现自己是多麽的重要
只有在爱一个人的时候 才会发现原来可以这麽在乎一个人
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◆ From: 58.114.219.206
1F：推 waftwalker:看你LAYOUT方便 06/12 01:36
2F：推 smart1901:m是偶数比较好lay~看你想怎lay就怎切 06/12 01:58
3F：推 deathcustom:W=12.5, M=8比较好 06/12 04:02
4F：推 deathcustom:以要做common centroid的观点来看4/8/16比较OK 06/12 04:02
5F：推 bb7:m数不一样模拟结果也会不一样 06/12 07:48
6F：→ TripleC:很多时候是design rule的限制... 06/12 09:23
7F：推 nature0702:spice model不一样 所以不要设计在交接处 06/12 13:15
8F：推 mos888tw:楼上正解 我的原则也是设计与bias circuit同一个model 06/12 13:39
9F：→ wuandy10:看方便性与设计规则 不过m来看还是8比较好没错 06/12 16:49
10F：→ wwwok:请问一下natur大 何谓交接处阿? 06/12 21:32
11F：推 mos888tw:不同的length,width有不同的model 不要设计在critical 06/12 21:53
12F：→ mos888tw:我想应该是这意思@@ 06/12 21:53
13F：→ wwwok:意思是指说饱和区与三极管区的交接处吗? 06/12 21:57
14F：→ wwwok:还是说SPICE 中片断MODEL的交接处呢?谢谢 06/12 21:58
15F：推 mos888tw:不是喔，打开制程model里面不同区段的length,width都有不 06/12 22:12
16F：→ mos888tw:同的参数，用来偏压的电流源，我习惯与偏压电路设计在同 06/12 22:12
17F：→ mos888tw:样的区间，这样corner之间的variation才不至於太大 06/12 22:13
18F：→ mos888tw:不过也看状况 有些电路本来就对制程不敏感 那就方便为主 06/12 22:14
19F：→ wwwok:恩恩~原来如此 我大概了解 多谢各位^^ 06/12 22:24
20F：→ stevegood:layout 可以作摺叠吧 06/12 22:25
21F：推 nature0702:W=10 和W=11 model vth可能就不一样 可以看foundry给的 06/12 23:02
22F：推 mos888tw:摺叠也是一种方法 width大的 就用个guard ring围一下 06/12 23:03
23F：→ mos888tw:小心latch up即可 06/12 23:03
24F：推 nature0702:关於元件的spice 因为size差一点 model差很多 06/12 23:06
25F：→ nature0702:只有实际量到的才是真的. simulation就找自己适合方式 06/12 23:10
26F：推 sovereignty:前面讲的不同 W, L 的 SPICE model 是 bin model, 是 06/14 08:55
27F：→ sovereignty:foundry 为了让 model 更准而对 W, L 做的 fitting, 06/14 08:55
28F：→ sovereignty:在 W, L 的某一个 range 里会定义几个数个点的确切值 06/14 08:56
29F：→ sovereignty:而中间的 W, L 就用内插求得，但有时会发生收敛性问题 06/14 08:57
30F：→ sovereignty:不过这纯粹是 model 实现问题，真实制程不会发生此现 06/14 08:58
31F：→ sovereignty:象，补充说明一下。 06/14 08:58
33F：→ sneak: m 09/17 22:55